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 Photolithography를 이용한 pattern형성 |
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| 키워드 : |
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| 소개글 |
Photolithography를 이용한 pattern형성 |
| 요약 |
1.실험제목 : Photolithography를 이용한 pattern형성
2.실험목적 : Photolithography에 사용하는 각 공정의 원리와 공정시 주의점을 알 수 있다.
3.실험기구, 장비, 재료 :
-Cr 증착된 기판
-Developer, Stripper, Cr etchant
4.Photolithography 공정 순서
Cleaning -> PR coating -> Soft Baking -> Mask align & Exposure -> Develop -> Hard baking -> Cr etching -> Strip
5.실험방법 :
①Cr이 증착된 기판 Cleaning을 한다.(Isopropyl alcohol에 약 10분 가량 Ultra sonic처리 ->DI water ->gas로 drying)
②Spin coater위에 기판을 올리고 진공 잡은 후 PR을 뿌리고 코팅을 한다.(500rpm : 10초, 3000rpm : 30초, 1000rpm :10초)
③PR을 굳히기 위해 Soft baking(110℃) 15분 정도 건조
④스스로 그린 Pattern을 기판위에 올려놓고 UV lignt를 노광(2.5초)
⑤PR을 제거하기 위해 Developer에 기판을 담그고, DI water로 세척
⑥세척후 Hard baking(130℃)에서 약 10분 정도 건조
⑦Cr etchant에 dipping하여 경과를 보면서 Cr을 제거
⑧제거 후 Pattern이 된 부분의 PR을 제거하기위해 Stripper에 dipping하여 제거
6.실험 결과 및 고찰
-PR의 종류에 따라 형성되는 모양을 생각해 보자
광원의 단파장화에 따른 광원의 개발과 더불어, 그에 상응하는 레지스트의 개발은 중요하다. 광원의 단파장화는 레지스트의 고감도화를 요구한다.
<용해도 변화>
<반응 형태><극성변화형, 해중합형, 가교형, 중합형 >
<구성 성분수><1성분, 2성분, 3성분 >
<광원> |
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